：在电浆（Plasma）境况中，高浓度的带正电离子经过电弧（ARC）对晶片外貌方便积存电荷或导电部位放电时所爆发的高热熔毁金属线途。

　　皮相：胶带残留，只产生在最上层，可能擦掉。（后背磨薄制程中，胶带粘外面,SINOMOS 无此制程）

　　a、金属蚀刻后的氯（Cl）残留，遇水气后形成盐酸（HCL）而无间腐化金属，囊括制程很是变成大量氯残留，PR/Polymer残留氯，放置时辰太久；

　　表面：圆圈状，水滴状，如出当今Silicon的街道为会合的水滴状，向街道交叉处召集。

　　成因：金属原子在热循环（Thermal Cycle）中，因热膨鼓系数差异而发作的应力之习染而造成的丘状突起。

　　概况：爆发在Nitride 层，强光灯下可见雾状物，OM下为汇聚的微小PA （暗区检验较好）。

　　成因：金属ETCH时 ，polymer 未保卫好侧壁导致金属线ETCH 过多，变形

　　b、PA较大且于护层中引入，Bsport体育导致PAD 定义时变形，Bsport体育且PA范畴有护层残留。

　　a、 电浆蚀刻（Plasma Etching）后作为侧壁保护或未鼓和分子体（Unsaturated）变成的高分子汇合物（Polymer）未能去除整洁而变成的残留。

　　成因：由光阻移位所造成的标题其外表与薄膜本身移位分歧。光阻移位後，是光阻Pattern重叠，所 以在蚀刻后薄膜的 Pattern丁宁处，仍在团结平面.

　　外观：薄膜上有深咖啡色、褐色或黑色的脏污残留；很多渺小颗粒呈脉状蚁集漫衍。

　　b、蚀刻前有异物或particle掩护在光阻或薄膜上形成etching mask，窒碍蚀刻的实行。

　　皮相:切割途或Chip内有雀斑状恐怕是絮状残留，metal gate较易显现此类defect。厉重时，强光灯下雾状。

　　成因：金属溅镀过程中温度越高，慎密水准越高，而变色现象系由于明后源委金属邃密化外观散射而使神色变得更深。

　　b、刮伤地域较为整洁，不会发作很多碎屑，刮伤大块金属集结物ETCH后有RE。

　　外表: 金属表面飞蚊状黑色物析出，金属晶界昭彰。曾发生ALSI制程，为MET FILM 上较缜密，且有凸起小斑点，ETCH后有细微残留有金属心情。

　　半导体阅历分享，半导体成果交换，半导体音问公告。半导体行业动态，半导体从业者职分筹备，芯片工程师滋长进程。