日立能源近期在5月10日-12 日在德国纽伦堡的 PCIM Europe 推出其用于电动汽车的 RoadPak 功率半导体模块。日立表示，这款紧凑型模块采用先进的碳化硅（SiC）芯片，以达到高水平的功率密度，进而帮助实现更快的充电速度，确保车辆全生命周期内的可靠性，以及尽可能地降低功耗并延长行驶里程。

　　2.芯塔电子推出1200V SiC MOSFET，计划车规级模块封装线日，国产碳化硅器件设计公司芯塔电子在官网发布了芯塔电子1200V SiC MOSFET应用测试情况，同时表示SiC 1200V 80-40mΩ MOSFET器件已经给国内的重要客户进行了送样和销售，包括军工、新能源汽车、充电桩等领域，同时也已获得众多客户的咨询和明确需求。

　　近日 ，UnitedSiC宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。

　　英飞凌科技股份公司近日发布了采用EconoDUAL™ 3标准工业封装的全新1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7模块。凭借这项全新的芯片技术，EconoDUAL 3模块可提供业界领先的900 A和750 A额定电流，进一步拓展逆变器的功率范围。该模块可广泛应用于风电、电机驱动和静态无功发生器（SVG）等应用。

　　2022 年 5 月，美国氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片，可满足高功率应用，例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。45mΩ的NV6169 采用行业标准的、轻薄、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装，导通电阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的电力系统。

　　面对传统技术的发展瓶颈，近日，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）在首席科学家杨德仁院士的带领下，科创中心先进半导体研究院发明了全新的熔体法技术路线来研制氧化镓体块单晶以及晶圆，目前已经成功制备直径2英寸（50.8 mm）的氧化镓晶圆，使用这种具有完全自主知识产权技术生长的2英寸氧化镓晶圆在国际内尚属首次。经检测，科创中心采用新技术路线研制出的这批氧化镓晶圆的导电类型为半绝缘型，直径尺寸达到50.8±0.5 mm，表面粗糙度小于0.5 nm，光学透过率良好，高分辨X射线摇摆曲线 弧秒，衍射峰均匀对称，单晶质量较好，关键技术指标已达领域内的先进水平。

　　据报道，今年1-4月，重庆经开区招商引资正式签约项目17个，正式合同额约207.5亿元(其中工业48亿元)，同比增长180%。招商项目主要集中在智能制造、消费金融、第三代半导体、光电产业等领域。其中，九洲智能汽车电子基地、台达电子西部生产基地过渡生产项目、蚂蚁集团消费金融平台全国总部基地项目、重庆鹰谷光电总部、钮氪尔第三代半导体和芯片激光高频切割装备生产基地等重点招商项目实现签约。

　　据新华社报道，目前，上海积塔半导体已经明确将在上海临港投资二期项目，新增固定资产投资预计超过260亿元。2017年，积塔半导体特色工艺生产线项目签约落户上海临港，项目总投资359亿元，于2018年8月开工建设，并于2020年初正式投片。根据规划，该项目目标是建设月产能6万片的8英寸生产线英寸特色工艺生产线亿元建SiC充电桩广州将成“超充之都”

　　5月28日，广州南沙区举行了二季度第二批项目动工活动。本次动工活动项目总投资约320亿，包括涉及碳化硅充电桩技术的“巨湾技研总部及生产基地”项目，总投资达40亿元。据悉，该项目主导方为广州巨湾技研有限公司，是广汽集团首家内部孵化的创新型高技术企业。该项目总体规划产能为8Gwh/年，具备为12万辆新能源汽车实现配套的能力。项目预计2023年三季度试产，2025年全面建成。

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　　近日，氮化镓芯片领先企业珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）宣布完成近亿元A+轮融资。2021年，镓未来研发并量产了适用于30W-120W电源适配器的氮化镓开关器件产品，主要应用于手机/笔记本快充中，在手订单达数百万颗。2022年将继续推出适用于140W、200W、330W等低功率应用场景的高性能氮化镓功率器件产品及电源整体解决方案。

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　　近日，元旭半导体完成了C轮数亿元融资。本轮投资由新股东路海河产业基金、华潍新动能科技产业基金共同投资，老股东山东高创投资集团继续跟投加码。元旭半导体拟在天津高新区设立全资子公司作为项目主体，新建第三代半导体高端显示芯片研发中心和垂直整合制造工厂。项目总投资10亿元，达产后年产值不低于10亿元。

　　据中国台湾媒体经济日报报道，联电晶圆代工成熟制程订单满手之际，正在积极布局当红的第三代半导体，抢攻难度更高、经济效益更好的8吋晶圆第三代半导体制造领域，近期大举购置新机台扩产，预计下半年进驻厂区，跻身业界领先行列，为后续获利增添动能。联电先前第三代半导体布局，主要透过转投资联颖切入，锁定6吋氮化镓产品，主要考虑目前业界氮化镓整体解决方案提供者较少，联颖正在进行技术平台建置，完成后会把平台开放给设计公司客户使用，扩大接单利基。

　　看好包括电动汽车、5G射频、人工智能（AI）、高性能运算（HPC）等新兴应用的快速成长，拉动包括氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）等第三代半导体强劲需求，晶圆代工龙头台积电在此市场不缺席，与IDM厂及IC设计业者合作，第一代硅基板氮化镓（GaN on Si）技术平台，于去年完成并进一步强化，支援多元的应用，开发中的第二代硅基板GaN技术平台，预计今年内完成。

　　5月17日上午，南沙新区2022年第二季度重大项目集中签约暨广东芯粤能碳化硅芯片制造项目主体工程封顶活动隆重举行。南沙芯粤能碳化硅制造项目主体工程封顶仪式顺利举行，广东芯粤能半导体有限公司位于广州市南沙自贸区，是一家面向车规级和工控领域的碳化硅芯片制造和研发企业，产品主要包括碳化硅SBD/JBS、MOSFET、IGBT等功率器件，主要应用于新能源汽车、工业电源、智能电网以及光伏发电等领域，是目前国内最大的专注于车规级碳化硅芯片制造的企业，分别被广州市和南沙区列为重点建设项目。

　　5月26日，在北方华创2021年度业绩说明会上，北方华创董事、执行委员会副主席、总裁陶海虹称，公司目前碳化硅长晶设备订单饱满，预计今年出货将超500台，已成为国内主流客户的首选。同时，今日华创在投资者平台上回复提问，并表示公司8吋碳化硅长晶炉已完成研发，并进入客户端。

　　5月23日, 昭和电工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月，昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供Best in Class SiC外延片，全球市场占有率领先。在该项目中，SDK计划利用其知识产权组合和开发专长，开发直径为8英寸的SiC外延片，并将缺陷密度降低至少一个数量级，从而降低下一代电源的生产成本半导体。

　　瑞士日内瓦的 STMicroelectronics 和美国马萨诸塞州 Lowell 的 MACOM Technology Solutions Inc（设计和制造模拟射频、微波、毫米波和光子半导体、组件和子组件）宣布，已经生产射频硅基氮化镓（ RF GaN-on-Si) 原型。据估计，意法半导体制造的原型晶圆和器件已经实现了成本和性能目标，这将使它们能够有效地与市场上现有的 LDMOS 和 GaN-on-SiC 技术竞争。这些原型现在正转向鉴定和工业化。意法半导体的目标是在 2022 年实现这些里程碑。随着这一进展，意法半导体和 MACOM 已经开始讨论进一步扩大他们的努力，以加快向市场交付 RF GaN-on-Si 产品的速度。

　　近日，英国化合物半导体材料（外延）厂商IQE宣布与剑桥大学附属公司、GaN Micro LED材料开发商Porotech达成战略合作，进军Micro LED市场。双方战略合作的方向聚焦GaN基Micro LED，将合力开发并商业化Porotech独有的外延材料技术，在8英寸或12英寸单一GaN外延上生长高密度、高效率RGB全彩Micro LED，从而赋能AR/MR/VR、可穿戴设备、智能显示器及大型直显等Micro LED显示应用终端。

　　韩媒3日报道显示，韩国GaN技术开发商Soft-EPi于2日宣布成功开发并发布红色GaN外延片，可提升Micro LED的性能。据说，这在韩国是首次。Soft-EPi指出，由于技术难度高，目前全球仅4-5家企业能够生产GaN基红光LED。但因为GaN基红光外延片领域的制造商与Meta、Google等品牌厂商签订了独家合作协议，且在研发方面困难重重，Micro LED开发商无法获得GaN基红光外延片。而Soft-EPi已成功将红光和绿光LED集成在同一晶圆上，并计划在今年内集成及展示蓝光LED。接下来，Soft-EPi计划向有意向采购的Micro LED开发商供应这款产品。

　　5月18日，日本半导体材料巨头信越化学宣布他们将加速氮化镓（GaN）外延生长衬底及其相关产品的商业化。信越表示，他们在2019年与美国Qromis公司开展了第一次合作，双方就制造 GaN 衬底材料签订了专利许可协议。信越负责生产氮化镓衬底和氮化镓同质外延片。而在信越此次的扩产中，它将与美国Qromis公司展开进一步的深入合作，通过改进其专有技术，提升6英寸和8英寸的氮化镓衬底生产能力，计划实现产量翻倍，以满足市场快速增长的需求。

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　　5月16日，Marelli官网宣布，他们将为Peugeot Sports（标致运动）的9X8超级跑车提供基于碳化硅逆变器的工程设计和供应等。Marelli是意大利设备制造商，2018年被日本Calsonic Kansei收购。此次Marelli标致与合作，Calsonic将提供高性能电动机和基于碳化硅的逆变器，而开发的重点是最大限度地提高系统的效率和可靠性。

　　近日，中国科大微电子学院龙世兵教授课题组两篇论文入选第34届功率半导体器件和集成电路国际会议，该课题组基于NiO生长工艺和异质PN的前期研究基础（Weibing Hao, et.al., Applied Physics Letters, 118, 043501, 2021），设计了结终端扩展结构（Junction Termination Extension, JTE），并优化退火工艺，成功制备出耐高压且耐高温的氧化镓异质结二极管。

　　近日，国家第三代半导体技术创新中心（山西）推进会在太原第一实验室召开，山西省政府、太原市政府、长治市政府、以及中北大学、中科潞安、中电科二等共建单位参加会议。据悉，科技部围绕国家重大区域发展战略部署，在全国布局国家第三代半导体技术创新中心深圳、南京、苏州、北京、山西、湖南6个分中心，山西平台作为国创中心六大平台的重要一环，对建立健全国家半导体技术创新体系，推动山西省半导体产业发展具有重要作用。

　　5月13日，长沙高新区功率半导体及集成电路产业迎来重磅扶持新政——《关于促进长沙高新区功率半导体及集成电路发展的若干政策》正式出炉，长沙高新区将以总额高达5000万元的扶持资金和16条惠企政策，提振企业发展信心，助力高新区功率芯片及集成电路优势产业集聚发展，打造功率芯片产业集群。长沙高新区是全国唯一实现CPU、GPU、DSP三大芯片设计国产自主的园区，拥有国家第三代半导体技术创新中心（湖南）、湖南省集成电路装备创新中心以及湖南三安、北京智芯、威胜信息共建的碳化硅联合实验室等诸多创新平台。相继引进了湖南三安、中电科48所（楚微半导体）、欧智通、金博股份等行业龙头。其中，湖南三安建设了全球第3条、全国第1条第三代半导体全产业链。

　　据厦门日报消息，从日前陆续出炉的一季度数据看，厦门市部分光电半导体企业继去年实现稳增长后，一季度业绩持续亮眼，且在保持主业优势的同时，纷纷向新领域开拓。当下厦门市光电半导体产业正加速向新型显示、第三代半导体等未来产业转型升级，向智慧照明、Mini/Micro LED、电力电子半导体和射频半导体等方向迅速发展。成为国家电子信息·显示产业的新型工业化基地、国家半导体照明工程高新技术产业化基地、国家节能灯外贸转型升级示范基地等国家产业示范基地的排头兵和骨干力量。

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