因来自电动车（EV）的需要旺，日本三菱电机（Mitsubishi Electric）将砸千亿日圆、盖新厂，增产碳化硅（SiC）功率半导体，对功率半导体古迹的配置投资谋略将倍增。

　　三菱电机3月14日文告，将增产SiC功率半导体，主因EV用需要旺，动员市场预估将败露急速滋生。三菱电机将投资约1,000亿日圆，在熊本县菊池市的现有工厂厂区内兴筑新厂房，该座新厂将导入8吋SiC晶圆产线月启用生产，三菱电机并将扩增位于熊本县合志市的工厂的6吋晶圆产能。

　　日媒指出，藉由上述增产投资，2026年度时，三菱电机SiC晶圆产能将扩增至2022年度的约5倍程度。

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　　三菱电机指出，包含上述投资谋划，2021-2025年度的5年岁月，该公司对功率半导体事迹的装备投资方针总共将达2,600亿日圆，投资范畴将较正本方向值（1,300亿日圆）倍增。

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　　半导体成立工程可大意分为在硅晶圆上爆发电说的「前段制程」和实行组装、封测等的「后段制程」，而三菱电机上述位于熊本县的2座据点皆属于「前段制程」据点。在「后段制程」控制，三菱电机宗旨投资约100亿日圆在「Power Device Manufacturer（位于福冈市）」内兴筑新厂房。

　　日媒报导，2021年三菱电机SiC功率半导体全球市占率排第6，在日厂中、仅次于位居第四位的Rohm。富士电机、东芝也挤进环球前10大之列，龙头厂为瑞士STMicroelectronics。