金融界2024年10月1日消息，国家知识产权局信息显示，苏州立琻半导体有限公司取得一项名为“紫外发光二极管外延片”的专利，授权公告号CN 221783234 U，申请日期为2023年10月。

　　专利摘要显示，本实用新型公开了一种紫外发光二极管外延片，包括沿选定方向依次层叠设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括至少一个周期的量子阱结构，量子阱结构包括沿选定方向依次层叠设置的阱层、垒层以及至少一个应力调控层，应力调控层层叠设置在阱层和垒层之间，并且应力调控层为P型掺杂层，应力调控层的带隙大于阱层的带隙而小于垒层的带隙。本实用新型提供的一种紫外发光二极管外延片通过引入一个新型的量子阱结构既可以调控阱垒的极化场在定程度上补偿原有量子阱结构内部的反向极化电场，减轻材料本身自发极化和压电极化带来的QCSE效应，还可以提高量子阱结构内部电子和空穴的波函数重叠率，b体育网址从而达到提高内量子效率的目的。