1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到上海证券交易所网站（）网站仔细阅读年度报告全文。

　　公司已在本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”中披露了可能面对的风险，提请投资者注意查阅。

　　3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　5立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

　　经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计，公司2023年度合并报表实现归属于上市公司股东的净利润-30,624.97万元，母公司实现净利润-11,797.88万元，截止2023年12月31日，母公司年末可供股东分配的利润为13,706.73万元。鉴于公司2023年度实现的归属于母公司股东的净利润为负，属于可不进行利润分配的情形。同时，结合公司的经营情况和未来资金需求，公司2023年度拟不派发现金红利，不送红股，也不以资本公积金转增股本。

　　根据《上市公司股份回购规则》第十八条规定：“上市公司以现金为对价，采用要约方式、集中竞价方式回购股份的，视同上市公司现金分红，纳入现金分红的相关比例计算”，公司2023年度以集中竞价方式累计回购公司股份金额为6,480.09万元（不含印花税、交易佣金等交易费用）。

　　以上利润分配预案已经公司第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议审议通过，尚需经公司2023年年度股东大会审议通过。

　　公司是目前中国大陆少数能够同时提供NANDFlash、NORFlash、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。公司致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务。公司设计研发的1xnmNANDFlash、48nmNORFlash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。

　　存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。公司的主要产品为非易失性存储芯片NANDFlash、NORFlash，易失性存储芯片DRAM以及衍生产品MCP：

　　NANDFlash即数据型闪存芯片，分为两大类：大容量NANDFlash主要为MLC、TLCNANDFlash或3DNANDFlash，擦写次数从几百次至数千次，多应用于大容量数据存储；小容量NANDFlash主要是SLCNANDFlash，可靠性更高，擦写次数达到数万次以上。公司的NAND产品种类丰富，功耗低，具备高可靠性，在通讯设备、安防监控、可穿戴设备和移动终端等多个领域得到广泛应用。产品已通过联发科、瑞芯微、中兴微、博通等主流平台厂商的验证认可，主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒以及智能手环等终端产品。

　　公司聚焦平面型SLCNANDFlash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。公司NANDFlash产品核心技术优势明显，尤其是SPINANDFlash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC模块与接口模块统一集成在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃-105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性已逐步从工业级标准向车规级标准迈进。

　　NORFlash即代码型闪存芯片，主要用来存储代码及少量数据。其存储阵列是各存储单元通过并联方式连接组成，在实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，因此具有芯片内执行、读取速度快等特点，通常被用于存储相关数据和代码程序，来满足快速启动应用系统的需求。

　　公司专注于设计大容量、低功耗、ETOX工艺的SPINORFlash，自主设计的SPINORFlash存储容量覆盖64Mb至1Gb，并支持多种数据传输模式，普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。

　　DRAM是市场上主要的易失性存储产品之一，通过利用电容内存储电荷的有无来代表二进制比特（bit）来实现数据存储。DRAM具有读写速度快的特点，常被用于系统硬件的运行内存，对系统中的指令和数据进行处理。

　　公司研发的DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR1/2/4X系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达2133MHz，适用于智能终端、可穿戴设备等产品。

　　MCP产品是将非易失性代码型闪存芯片通常与易失性存储芯片搭配使用，以共同实现存储与数据处理功能。

　　公司的NANDMCP产品集成了自主研发的低功耗1.8vSLCNANDFlash闪存芯片与低功耗设计的DRAM，凭借设计优势已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，被广泛应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。其中，DDR规格包括LPDDR1、LPDDR2和LPDDR4x，为用户提供更加灵活和丰富的选择。MCP通过将低功耗DRAM和基于NAND的技术优化结合在一起简化了走线设计，节省了组装空间，高效地集成了电路，提高了产品的稳定性。客户在使用NANDMCP产品时可以减小PCB的布板空间,降低整体系统成本，提高整体集成度和可靠性，适用于PCB布板空间狭小的应用。

　　公司拥有自主完整的知识产权，能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。

　　在为客户进行定制化产品过程中，公司不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了“研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。

　　公司作为IC设计企业，采取Fabless的经营模式，专注于集成电路设计、销售和客户服务环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。在销售芯片的同时，也根据市场及客户需求提供完整的解决方案。报告期内，公司主要经营模式未发生变化。公司的整体业务流程如下图所示：

　　公司是一家专注存储类芯片设计的企业，聚焦中小容量的存储芯片的设计、研发及销售，致力于为客户提供多样化的存储类产品及解决方案。按照《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017）,公司所处行业属于“软件和信息技术服务业”中的“集成电路设计”（代码：6520），细分行业为芯片设计行业；根据证监会发布的《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司属于“制造业”中的“计算机、通信和其他电子设备制造业”，行业代码为“C39”。

　　2023年宏观经济情况仍旧复杂多变，多家主要存储芯片厂商相继推动减产计划，旨在加速市场供需平衡。随着海外大厂减产举措的逐步实施，去库存化预计将迎来加速。但公司认为随着市场对于高需求的HBM等大容量存储芯片，尤其是来自于AI大模型的需求，将推动海外大厂将更多产能投放于这类产品，从而迅速推动整个存储行业供需平衡的回归。

　　NORFlash和NANDFlash都属于非易失性存储芯片，即在断电后能够保留数据。根据存储信息类型的不同，Flash可以进一步分为代码型闪存和数据型闪存。NORFlash和SLCNAND被归类为代码型闪存，主要用于存储操作系统及其启动与运行过程中的代码信息，对芯片的稳定性和可靠性要求较高。而MLC/TLC/QLCNAND等数据型闪存主要用于存储系统运行过程中的大容量数据信息，对芯片的容量和成本要求较高。

　　NANDFlash行业集中度有所回落，但仍保持较高水平。全球NANDFlash行业前六大厂商市场份额总和逐年提高，目前NAND主要通过3D堆叠方式大幅提升存储容量，而堆叠层数的持续提升带来的技术难度也迅速增长。头部厂商既有深厚的技术积累也有充足的研发投入，有望率先实现更高层数，进而巩固垄断地位，进一步提升行业集中度。

　　与大容量NANDFlash高度垄断的市场竞争格局不同，SLCNAND市场竞争格局相对分散，参与玩家较多。三星电子、铠侠、华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额，中国本土厂商有东芯股份、兆易创新、复旦微等。SLCNAND具有更快的擦写速度，常用于支持带有操作系统如Linux等复杂系统的代码存储应用。当前国外存储大厂三星电子、美光科技、海力士、铠侠正全力扩建大容量NAND产能，在SLCNAND的投入逐渐减少；随着海外大厂的陆续退出，留给中国本土厂商的市场空间愈发广阔；国产化需求的不断提高也带来更多的导入机会。

　　NORFlash的存储阵列由各存储单元通过并联方式连接组成，实现按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行。它具有芯片内执行（XIP）、读取速度快等特点，通常用于中小容量代码存储和快速读取，以满足快速启动应用系统的需求。

　　DRAM是芯片产业中产值最大的单一品类，目前全球存储器产业处于高度垄断，主要的DRAM厂商包括韩国的三星电子、海力士和美国的美光科技，占据全球90%以上的市场份额，广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。近几年随着海外大厂逐步将DDR4产能转向DDR5产品并退出利基型DRAM市场，中国大陆DRAM产业技术开始起步发展。

　　公司涵盖利基型存储芯片，包括SLCNANDFlash、NORFlash和DRAM等产品。以丰富的产品线、可靠的性能和节能特性为支撑，公司多款代表性产品已经赢得国内外多家知名企业的认可。在产品布局、工艺制程、产品性能等方面，公司均已经建立了相应的竞争优势。公司目前可以同时提供包括NANDFlash、NORFlash、DRAM、MCP等主要存储芯片完整解决方案。作为中国的存储芯片设计公司，公司将持续遵循既定的发展策略和目标，主动适应不断变化的国际和市场竞争格局。依托现有的坚实基础和竞争优势，不断增加对技术和产品研发的投入，旨在提升市场份额。同时，公司将紧密关注新兴应用领域的增长潜力，以积极的姿态捕捉市场机遇，确保公司的长期稳定增长。

　　SLCNANDFlash主流工艺制程仍然是2x-3xnm制程。近两年来，主要SLCNANDFlash厂商在2xnm制程工艺节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代38nm-40nm工艺节点产品。部分领先的SLCNANDFlash厂商正在研发1xnm节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。SLCNANDFlash芯片朝着降低成本和功耗、提升数据读取速度、提升可靠性等方面进行技术升级。

　　在传统市场因升级迭代需求保持稳定增长的同时小容量SLCNANDFlash产品，可广泛应用于手机、机顶盒、数据卡、网通产品、通讯设备等消费类产品。随着制程的不断推进，SLCNANDFlash产品将进入更多的应用领域，在网络通讯、机顶盒、可穿戴设备、智能家居等领域市场容量将进一步增加。随着网通设备、安防监控、大数据、物联网的快速发展，用户对存储芯片的容量提出了越来越高的要求，部分领域如智能穿戴产品等甚至呈现出SLCNANDFlash替代NORFlash承担程序代码存储应用的趋势。

　　NORFlash主流工艺制程仍然是ETOX65nm，已成熟应用多年。近两年来，主要NORFlash厂商在5xnm工艺节点的产品开始逐步上市销售，预计在未来将陆续取代65nm工艺节点产品。部分领先的NORFlash厂商正在研发4xnm节点的制程工艺，大规模量产还需要时间。此外，为满足下游应用市场的需求，NORFlash逐步朝着更低功耗、更低电压、更高性能和更大容量等技术方向发展。

　　尽管传统市场因需求升级而保持稳定增长，但NORFlash市场规模的扩张主要受益于可穿戴设备（如TWS耳机、智能手环、智能手表）、智能手机屏幕（AMOLED技术）、5G基站、物联网以及新能源汽车（智能驾驶）等领域的快速发展。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势，在NORFlash市场上逐步取代了一些传统厂商。然而，由于国内公司主要专注于消费电子领域，而该领域市场行情受终端需求波动影响较大，因此一些头部厂商积极调整产品结构，加大对中大容量产品的研发投入，积极布局和规划工业控制、汽车电子等需求更稳定的高附加值终端应用市场，以扩大市场份额和占有率。由于汽车智能化快速发展，车规级NORFlash的需求也在迅速增长，推动车载产品完成AEC-Q100标准测试认证，因此，进入汽车电子市场将成为NORFlash厂商的重要发展方向。

　　利基型DRAM市场是作为小众、动态的成熟产品市场，现有产品规格主要包括标准的DDR3和DDR4产品以及低功耗的LPDDR1-LPDDR4x。

　　从需求端来看，利基型DRAM主要应用于TV、安防以及消费类电子领域；现阶段由于汽车的智能化程度尚浅，因此对DRAM的速度要求不如PC、手机和服务器，更侧重于DRAM工作状态的稳定性，因此当前车规级DRAM主要使用成熟制程进行生产。由于利基型市场下游应用领域广泛、因此行业需求的周期性波动相对较小，呈现出稳定增长的局面。随着三星、海力士、美光科技将DRAM产能向DDR5、LPDDR5x、GDDR和HBM等高容量、高毛利的产品倾斜，DRAM主流厂商的利基型产品供给将有所收缩，将留给包括大陆和台湾供应商更大的市场空间。

　　4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10名股东情况

　　1公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

　　报告期内，公司实现营业收入53,058.82万元，较上年同期减少53.70%；归属于上市公司股东的净利润-30,624.97万元，较上年同期减少265.13%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-32,669.17万元，较上年同期减少298.13%。

　　2公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　东芯半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于2024年4月18日召开第二届董事会第十二次会议，审议通过了《关于调整董事会专门委员会委员的议案》。

　　根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司独立董事管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》和相关法律法规，以及《公司章程》《公司独立董事工作制度》等规定，审计委员会成员应当为不在上市公司担任高级管理人员的董事，为保证公司董事会专门委员会的正常运作，董事会同意调整第二届董事会审计委员会委员。

　　公司第二届董事会战略委员会、提名委员会、薪酬与考核委员会成员保持不变。公司第二届董事会审计委员会委员任期自第二届董事会第十二次会议审议通过之日起至第二届董事会任期届满之日止。

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　东芯半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于2024年4月18日召开第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议，审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》，同意公司对募集资金投资项目“1xnm闪存产品研发及产业化项目”（以下简称“募投项目”）进行延期。本次部分募投项目的延期事项不属于募投项目的变更。公司监事会对本事项发表了明确的同意意见，保荐机构海通证券股份有限公司对本事项出具了无异议的核查意见。该事项无需提交公司股东大会审议。具体情况如下：

　　经中国证券监督管理委员会《关于同意东芯半导体股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]3558号），并经上海证券交易所同意，公司于2021年12月向社会公开发行人民币普通股11,056.244万股，每股面值人民币1.00元，每股发行价为人民币30.18元，募集资金总额为人民币333,677.44万元，扣除发行费用后的募集资金净额为人民币306,358.16万元。上述募集资金已于2021年12月7日到位，并已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）验证，并出具了信会师报字[2021]第ZB11526号《验资报告》。

　　公司设立了相关的募集资金专项账户，募集资金到账后，已全部存放于募集资金专项账户内。公司已与海通证券股份有限公司与存放募集资金的中国民生银行股份有限公司苏州分行、中国工商银行股份有限公司上海市虹桥开发区支行、华夏银行股份有限公司苏州分行等签订了《募集资金专户存储三方监管协议》，对募集资金进行专户储存管理。

　　截止2023年12月31日，公司首次公开发行募集资金的具体使用情况如下：

　　注：公司募投项目及募集资金使用情况具体详见公司于2024年4月20日披露于上海证券交易所网站（）的《东芯半导体股份有限公司关于2023年度募集资金存放与使用情况的专项报告》（公告编号：2024-017）。

　　募投项目研发工作已取得阶段性进展，产品已达成部分关键指标，但项目涉及的制造工艺复杂，并且生产验证周期较长。因此，为确保产品质量与性能稳定，后续仍需更多时间进行设计优化和工艺调试等技术攻关工作。

　　通过综合评估分析，以及审慎的研究论证，拟将募投项目达到预定可使用状态的时间进行调整。

　　结合目前公司募集资金投资项目的实际建设情况和投资进度，在募集资金投资用途及投资规模不发生变更的情况下，对项目达到预订可使用状态的时间进行调整的情况如下：

　　根据《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定：超过最近一次募集资金投资计划的完成期限且募集资金投入金额未达到相关计划金额50%的b体育，科创公司应当重新对该募投项目的可行性、预计收益等进行论证，决定是否继续实施该项目。公司对“1xnm闪存产品研发及产业化项目”的必要性及可行性进行了重新论证，该项目的延期未改变项目建设的内容、投资总额、实施主体等，项目继续实施仍然具备必要性和可行性，具体论证如下：

　　2014年，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，将集成电路产业发展上升为国家战略，明确了“十三五”期间国内集成电路产业发展的重点及目标。中国作为世界上最大的半导体芯片消费市场，长期以来集成电路产业依赖进口。国内存储芯片产业经过多年的发展，与头部公司存在一定的技术差距。目前国际NANDFlash的先进制程已经达到1xnm。本项目的实施有利于公司响应国家战略，缩小与国外厂商产品制程差距，实现国产替代。

　　芯片制程的升级意味着在单位存储面积上的存储单元密度将会增加，制程的缩小降低了存储芯片的生产成本。近年来，NANDFlash领先制程由2xnm逐渐转向1xnm，先进制程是提高存储芯片的成本优势的关键。公司作为存储芯片设计公司，将坚持不断创新，推进公司产品制程进一步升级，降低成本，增强产品市场竞争力。

　　随着5G通讯、物联网、人工智能、工业互联等领域的快速发展，新型终端设备的兴起如5G基站、智能家居以、工业智能化及数据存储量的增加，存储芯片的应用需求也会呈现持续增长的趋势。根据IDC预测，仅中国的数据存储需求总量就将从2022年的23.88ZB增长至2027年的76.60ZB，增幅超3倍。本次募投1xnmNANDFlash产品使公司进一步奠定现有优势，凭借公司多年研发NANDFlash的经验积淀与技术积累，公司紧抓下游市场新兴需求和应用数据爆发式增长对存储容量需求，进一步开拓公司市场份额。

　　集成电路行业是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业。我国政府先后出台了一系列支持集成电路行业发展的产业政策，推动了行业的迅速发展。2020年8月，国务院发布了《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》制定出台财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作等八个方面政策措施，大力支持集成电路产业。尤其是对于国家鼓励的集成电路线纳米（含）的先进制程，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，给予集成电路企业第一年至第十年免征企业所得税的财税支持，相关政策的支持为企业持续发展提供了保障。

　　公司自成立以来专注于存储芯片的设计领域，持续完善研究开发的系统化平台，为后续产品的设计迭代及平台工艺演进打下坚实基础。在NANDFlash的结构设计、性能优化等方面积累了充足的技术储备，并通过持续的自主创新和技术研发，拥有内置ECC技术、高速SPI接口、安全代码技术等多项具备自主知识产权的技术；同时公司建立了一支拥有良好人才梯队半导体、经验丰富、底蕴深厚的技术和研发团队，多年来坚持自主研发不断推进NANDFlash产品的制程，拥有38nm至2xnm制程升级的成功经验，充足的技术储备和经验积累是项目实施的技术保障。

　　公司秉持“本土深度、全球广度”的供应链布局，在搭建和完善自主可控的国产化供应链体系的同时，与国内外的供应商建立了互助、互利、互信的合作关系，保证了供应链运转效率和产品质量。公司与国际一流晶圆代工厂保持了深度的战略合作关系，在高可靠性、低功耗等存储芯片的特色工艺平台上开展了多年的深度技术合作，与此同时也在测试模型和测试向量上加大研发投入，提高了晶圆的产品良率和生产效率。公司与境内外知名封测厂建立了稳定的合作关系，可以为客户提供多样化的芯片封装选择。良好的产业链协同为本次募投项目产业化提供了稳定保证。

　　2024年4月18日，公司分别召开了第二届董事会第十二次会议及第二届监事会第十一次会议，审议通过了《关于部分募投项目延期的议案》。

　　公司监事会认为：公司对部分募投项目进行延期事项不存在变相改变募集资金用途和损害股东及中小股东利益的情形半导体。本次延期是公司根据募投项目的实际情况做出的合理调度和科学安排，有利于提高公司资金使用效率，优化资源配置，符合公司未来发展的战略要求，符合公司的长远利益和全体股东的利益。同意公司对部分募投项目进行延期事项。

　　1、公司本次对部分募投相关项目延期是公司根据行业发展情况及项目实施的实际情况做出的决定，不改变募投项目实施主体、用途及方向、投资总额均不变，不会对募投项目的实施造成实质性的影响，不存在变相改变募集资金用途和损害股东及中小股东利益的情形，不会影响募集资金投资项目的正常进行。募投项目相关调整系公司考虑自身现有场地、设备和软件等资源对募投项目的支撑协同作用等因素后做出的决定，具有合理性。

　　2、公司本次对部分募投项目进行延期事项已经公司董事会、监事会审议通过。相关审议程序符合《证券发行上市保荐业务管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》及《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等规定的相关要求。

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏b体育，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　根据《企业会计准则》以及东芯半导体股份有限公司（以下简称“公司”）财务制度等相关规定，为客观公允地反映公司截至2023年12月31日的财务状况及2023年度的经营成果，基于谨慎性原则，对截至2023年12月31日合并报表范围内可能发生信用及资产减值损失的有关资产计提信用及资产减值准备。

　　公司本次计提信用减值损失68.87万元，计提资产减值损失23,211.24万元，具体如下表：

　　公司以预期信用损失为基础，对应收账款、其他应收款和其他非流动资产进行减值测试并确认损失准备。经测试，2023年度计提信用减值损失金额共计68.87万元。

　　公司根据存货会计政策，按照成本与可变现净值孰低计量，对成本高于可变现净值及陈旧和滞销的存货，计提存货跌价准备。经减值测试，2023年度计提存货跌价损失金额为23,063.95万元。

　　公司以预期信用损失为基础，对合同资产进行减值测试并确认损失准备本期计提合同资产减值损失为147.29万元。

　　本次计提减值准备计入资产减值损失和信用减值损失科目，合计对公司2023年度合并利润总额影响23,280.11万元（合并利润总额未计算所得税影响）。上述金额已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审计确认。

　　本次计提减值准备事项符合《企业会计准则》以及公司会计政策的相关规定，是公司基于会计谨慎性原则作出的合理判断，符合相关法律法规的规定和公司实际情况，不存在损害公司和股东利益的情形。敬请广大投资者注意投资风险。

　　本公司监事会及全体监事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　东芯半导体股份有限公司（以下简称“公司”）于2024年4月18日以现场与通讯相结合的方式召开了第二届监事会第十一次会议（以下简称“本次会议”）。本次会议的通知已于2024年4月8日以电子邮件或电话的方式送达全体监事。本次会议由公司监事会主席王亲强先生召集并主持，会议应出席监事3名，实际出席监事3名，本次会议的召集、召开程序和方式符合《公司法》等法律法规以及《东芯半导体股份有限公司章程》的有关规定，会议决议合法、有效。

　　本议案将与其他制定、修订的内部治理制度一起合并作为《关于制定、修订部分内部治理制度的议案》提交股东大会审议。

　　经核查，监事会认为，（1）公司2023年年度报告及其摘要的编制和审议程序规范合法，符合法律、法规、公司章程及监管机构的规定；（2）公司2023年年度报告及其摘要公允反映了公司报告期内的财务状况和经营成果，所包含的信息从各个方面真实地反映出公司报告期内的经营管理和财务状况等事项；公司2023年年度及其摘要报告所披露的信息真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏；（3）未发现参与公司2023年年度报告及其摘要编制和审议的人员有违反保密规定及损害公司利益的行为。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）及指定媒体的《2023年年度报告摘要》、披露于上海证券交易所网站（）的《2023年年度报告》。

　　经核查，监事会认为，公司已经根据《企业内部控制基本规范》及其配套指引的规定和其他内部控制监管要求，建立了较为完善的内控体系并能得到有效的执行，可以较好的防范与控制公司经营管理各环节的风险，有效保障了公司各项业务活动的有序开展，保护了公司资产的安全完整，维护了公司及股东的利益。公司内部控制的评价报告真实、准确、完整、客观的反映了公司内部控制制度的建设与运行情况。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《2023年度内部控制评价报告》。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《关于2023年度募集资金存放与使用情况的专项报告》（公告编号：2024-017）。

　　经核查，监事会认为，公司对部分募投项目进行延期事项不存在变相改变募集资金用途和损害股东及中小股东利益的情形。本次延期是公司根据募投项目的实际情况做出的合理调度和科学安排，有利于提高公司资金使用效率，优化资源配置，符合公司未来发展的战略要求，符合公司的长远利益和全体股东的利益。同意公司对部分募投项目进行延期事项。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《关于部分募投项目延期的公告》（公告编号：2024-018）。

　　经核查，监事会认为，公司本次利润分配预案综合考虑了公司盈利情况、发展阶段、未来资金需求等因素，符合公司实际经营现状和长远发展战略，有利于公司持续、稳定、健康发展。本次利润分配预案的审议程序符合有关法律法规、规范性文件及《公司章程》的规定，不存在损害公司及全体股东特别是中小股东利益的情形，同意本次利润分配预案并同意将该议案提交公司2023年年度股东大会审议。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《关于2023年度利润分配预案的公告》（公告编号：2024-019）。

　　（九）审议《关于公司监事2023年度薪酬确认及2024年度薪酬方案的议案》

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《关于公司董事、监事、高级管理人员2023年度薪酬确认与2024年度薪酬方案的公告》（公告编号：2024-022）。

　　（十）审议通过《关于作废2022年及2023年限制性股票激励计划部分限制性股票的议案》

　　经核查，监事会认为，公司本次作废部分限制性股票符合《上市公司股权激励管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》及公司《2022年限制性股票激励计划（草案）》《2023年限制性股票激励计划（草案）》的相关规定，相关事项的决策程序符合《公司法》《公司章程》等有关规定，不存在损害公司及全体股东利益的情形，因此，同意公司作废2022年限制性股票激励计划部分限制性股票和2023年限制性股票激励计划部分限制性股票。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《关于作废2022年及2023年限制性股票激励计划部分限制性股票的公告》（公告编号：2024-023）。

　　经核查，监事会认为，《公司2024年限制性股票激励计划（草案）》及其摘要的内容符合根据《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《上市公司股权激励管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等有关法律、法规及规范性文件以及《公司章程》的规定。本次激励计划的实施将健全有效的激励约束机制，充分调动公司核心骨干的积极性，有效地将股东利益、公司利益和员工个人利益紧密结合，使各方共同关注公司的可持续发展，不存在损害公司及全体股东利益。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《2024年限制性股票激励计划（草案）摘要公告》（公告编号：2024-024）、《2024年限制性股票激励计划（草案）》。

　　本议案尚需提交股东大会审议，并需经出席会议的股东所持表决权的2/3以上通过。

　　经核查，监事会认为，《公司2024年限制性股票激励计划实施考核管理办法》符合相关法律、法规的规定以及公司的实际情况，能保证公司2024年限制性股票激励计划的顺利实施，进一步完善公司法人治理结构，促进公司建立、健全有效的激励约束机制，充分调动公司员工的积极性具有积极促进作用，并且能够有效地将股东利益、公司利益和员工个人利益紧密结合，使各方共同关注公司的可持续发展，确保公司发展战略和经营目标的实现。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《2024年限制性股票激励计划实施考核管理办法》。

　　本议案尚需提交股东大会审议，并需经出席会议的股东所持表决权的2/3以上通过。

　　经核查，监事会认为：公司2024年限制性股票激励计划所确定的首次激励对象均具备《中华人民共和国公司法》《中华人民共和国证券法》《公司章程》等法律、法规、规章和规范性文件规定的任职资格，不存在最近12个月内被证券交易所认定为不适当人选；不存在最近12个月内被中国证监会及其派出机构认定为不适当人选；不存在最近12个月内因重大违法违规行为被中国证监会及其派出机构行政处罚或者采取市场禁入措施；不存在具有《公司法》规定的不得担任公司董事、高级管理人员情形的情形；不存在法律法规规定不得参与上市公司股权激励的情形。该名单人员均符合《上市公司股权激励管理办法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》规定的激励对象条件，符合《公司2024年限制性股票激励计划（草案）》规定的激励对象范围，其作为公司2024年限制性股票激励计划激励对象的主体资格合法、有效。公司将在召开股东大会前在公司内部公示激励对象的姓名和职务，公示期不少于10天。监事会将于股东大会审议股权激励计划前5日披露对首次授予激励对象名单的审核意见及其公示情况的说明。

　　以上具体内容详见同日披露于上海证券交易所网站（）的《2024年限制性股票激励计划首次授予激励对象名单》。b体育