专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器b体育，该方法包括：提供衬底；于衬底上方形成堆叠结构；对堆叠结构进行图案化处理b体育，将堆叠结构分割为沟道区域半导体、第一源漏区域和第二源漏区域；其中半导体，沟道区域沿第二方向延伸，第一源漏区域和第二源漏区域均沿第一方向延伸，且第一源漏区域和第二源漏区域位于沟道区域的同一侧；于第一源漏区域和第二源漏区域中分别形成沿第一方向延伸的第一源漏结构和第二源漏结构；于沟道区域中形成沿第二方向延伸的沟道结构。本方法能够提高半导体结构的集成度，缩小半导体结构的面积。