专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：衬底，位于所述衬底内的多个沟槽b体育，所述沟槽内形成有屏蔽栅以及位于所述屏蔽栅上方的控制栅；金属层，位于所述控制栅上，所述金属层与所述控制栅共同构成栅极。本发明中在控制栅上设置金属层，将所述金属层与所述控制栅共同作为栅极，金属层的电阻比较低半导体，同时由b体育于金属层的设置半导体，栅极的横截面积增大b体育，从而降低了栅极电阻，提高了器件的性能。