Coolsemi的 SGT MOSFET通过采用超深沟槽设计降低导通电阻，导通损耗更低;通过屏蔽栅接源极，有效降低器件的米勒电容，提升器件的开关速度，降低系统功耗。

　　Coolsemi的高压超结MOSFET通过先进的超结技术和优化结构设计，实现极低的特征导通电阻(Rdson*A)，有效提高电源的功率密度和效率。

　　Coolsemi的IGBT功率器件采用沟槽栅场截止设计，降低外延层厚度以达到优异的Vcesat;通过先进的工艺设计从而降低器件的开关损耗，提升功率密度和效率。

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　　Coolsemi研发的智能功率模块IPM，搭载了自主研发的高性能功率器件以及与功率器件高度匹配的驱动HVIC，集温度检测与自我保护功能于一体。

　　Coolsemi的碳化硅二极管（Schottky Barrier Diode，SBD）与Si二极管相比半导体，显著优点是阻断电压提高，几乎无反向恢复以及更好的热稳定性，且反向恢复特性不受温度影响。

　　Coolsemi推出的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 器件采用pGaN架构，具备常关型特征，与相应的硅(Si)器件相比，具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷，结合几乎为零的反向恢复电荷，可以支持更简单的拓扑结构，实现更高的系统效率。

　　7月11日-7月13日，为期三天的慕尼黑上海电子展圆满落幕！炎炎夏日，也抵挡不住大家观展的热情。 本次展会聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等技术话题，覆盖从电子设计到智能制造全产业链。 功成半导体展台现场人气火爆，让我们一起重温展会盛况吧！ 携五大产品线全面亮相 在本次展会上，功成半导体携五大核心产品线——Elite MOSFET (SGT、SJ)、IGBT、IPM和SiC器件全面亮相，全方位展示了功成半导体高性能产品及应用方案。 针对不同应用领域设置了专门展示区域，让参会观众和行业伙伴更加直观地了解到功成半导体针对消费电子、新能源、数据中心、汽车电子等重点领域所推出的高性能产品和应用方案。 Elite MOSFET (SGT) 极低 FOM（Ron x Qg），系统效率高 多颗并联应用一致性好，抗短路能力强，过电流能力大 更小的封装尺寸，应用体积小 Elite MOSFET (SJ) 高EAS性能、高耐压性能 优化的器件开关特性，效率高，振荡小 优异的反向恢复特性，提升系统可靠性 IGBT 高频F系列-开关损耗小，高频应用效率高 L系列导通压降低，短路电流能力10us 车规级AECQ101认证 IPM 高度集成，高可靠性，低综合损耗，在较低功率的变频驱动中表现优异 集成欠压、过流、过温等各种保护功能，工规级可靠性验证标准，稳定可靠 高绝缘，易导热，封装紧凑，布局灵活，使用方便 SiC 开关速度快，无反向恢复电流 高耐压，更小的导通电阻并且满足小尺寸封装 器件的驱动损耗，开关损耗更低，进一步提升功率密度 聚焦重点应用领域 功成半导体作为一家Fabless模式的高端功率芯片设计公司，一直致力于半导体功率器件的研发与产业化，以优异的器件性能和完善的客户服务，满足客户高性能要求。在本次展会上，功成半导体也派出优秀精干的业务、FAE和产品技术团队，为技术、采购专家b体育、企业决策者专业而热情的解答产品性能及应用问题。 展台现场持续三天人气火爆 精彩永不结束 2024 慕尼黑上海电子展再见！

　　慕尼黑上海电子展将于7月11-13日在上海国家会展中心举办。展会汇聚国内外优质电子企业加入，打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。功成半导体将在7.2号馆A616亮相，携多款拳头产品和应用方案登场，我们在此诚挚邀您莅临功成半导体展台参观与交流。 展会信息 日期：2023年7月11-13日 地点：上海·国家会展中心 展位号：7.2号馆 A616  展位示意图 展位效果图 展品信息 Elite MOSFET  30V~250V SGT 功成的中低压SGT MOS，采用超深沟槽设计以及匹配更高掺杂浓度的外延，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线，获得更低的比导通电阻、更快的开关速度和更低的损耗。目前的SGT 产品拥有S1、S2、C1、D1、M1等系列，覆盖30V~250V的全系列电压平台，产品面向消费、通信、工业、汽车等领域，广泛应用于开关电源、电池保护、手机快充、电机控制、数据中心、太阳能光伏、汽车电子等细分市场。 Elite MOSFET 200V~1000V SJ 功成的高压SJ  MOSFET，在Deep-Trench工艺平台上，采用独特器件结构及特色工艺，开发出了覆盖200V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。 高压高频IGBT 650V~1700V 功成的IGBT采用目前业内Trench FS工艺，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线A产品，全力开发1.6um 100-200A产品，全系列提供较低导通压降和开关损耗，着力优化IGBT大电流并联特性。目前功成IGBT产品根据应用场景包括L、D、S、F、U、HF、R等系列，覆盖650/750/950/1200/1350/1700V的电压等级，聚焦应用于直流充电桩、光伏储能、汽车热管理、车载电源等领域。 智能功率模块IPM 500V~600V IPM产品线基于大批量出货的成熟MOSFET, IGBT, Gate Driver产品，自主研发，主要有Nano、Micro、Mini系列，封装形式有SOP23，DIP23， DIP25，DIP24，产品应用于空调风机、压缩机、变频油烟机、冰箱、洗衣机、洗碗机、高速风筒、变频风扇、通用变频控制等市场。 SiC器件650V~1700V 功成所设计的第二代SiC MOSFET采用独特的元胞排列设计，大幅优化了芯片面积，Rsp水平达到国际一线标准。该产品结电容较小，结合衬底减薄、激光退火等工艺，可实现开关速度快、损耗低的特性，适合高功率、高温、高频等多种高端应用场景。 关于功成半导体 公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域，产品已应用于直流充电桩、通信电源、服务器电源、便携式储能、户用储能、光伏逆变器、车载PTC等细分市场。身披多元化产品铠甲，功成半导体的产品目前已成功进入多家知名企业的供应链体系。公司与国内领先的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的ISO9001质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。

　　现代科技的进步使得消费电子类产品层出不穷，消费电子的需求从以往的台式PC、笔记本电脑为主向平板电脑、智能电视、消费级机器人b体育、智能手机、可穿戴设备等转移。相应地如何提高这些电子产品的转换效率，向设计者提出了更高的要求。MOSFET在消费电子领域中发挥着非常重要的作用。它的高效、高可靠性和高性能，使其成为了消费电子领域中不可或缺的元器件之一。 在消费电子领域，MOSFET主要用于控制和驱动电路。例如，在电视机、音响、电脑、手机和平板电脑等产品中，MOSFET用于控制和放大音频信号，使得音频输出更加清晰和强劲。MOSFET还可以用于控制电源开关，从而实现电子设备的高效节能。 充电器中的MOSFET应用 DC-DC转换器：充电器中常常需要将交流电转换为直流电，或者将低压直流电转换为高压直流电。这时可以使用MOSFET作为开关管，实现高效的DC-DC转换。MOSFET的低导通电阻和高开关速度可以提高转换效率。 负载匹配：充电器需要匹配不同设备的电池负载，这时可以使用MOSFET来调整输出电压和电流，以匹配负载。MOSFET的PWM调制技术可以实现精确的输出调节，而且由于MOSFET的内部电容较小，响应速度也很快。 过电流保护：充电器的输出电流应该在一定范围内，如果超出范围就会损坏设备。这时可以使用MOSFET来实现过电流保护。当输出电流超过设定值时，MOSFET会自动断开，以保护设备。 服务机器人中的MOSFET应用 随着科技的不断发展，服务机器人已经成为了人们生活中不可或缺的一部分。服务机器人的广泛应用使得人们的生活变得更加便利和高效。然而，服务机器人的复杂性也导致其所需的控制和驱动系统必须具备高可靠性和高性能。这就需要采用高质量的电子元器件，而MOSFET就是其中之一。 服务机器人的许多应用场景都需要控制高功率的电动机，例如清洁机器人、配送机器人和人形机器人等。MOSFET可以在高频率下控制大电流，从而使得机器人的控制系统更加高效。此外，MOSFET还可以实现PWM调光控制，使得机器人的灯光和屏幕等配件的亮度和颜色可以随意调整。 MOSFET还可以在服务机器人中用于保护和监测电池。服务机器人需要一定的电池寿命来保证其工作时间，因此必须使用高效的电池管理系统。MOSFET可以在电池充电时进行电流保护和温度监测，从而确保电池的安全和长寿命。 在服务机器人中，MOSFET还可以用于控制传感器和执行器。例如，在智能家居机器人中，MOSFET可以通过控制执行器来控制家庭电器的开关，从而实现自动化控制。 为适配以上应用需求，功成半导体推出的Elite MOSFET产品，基于先进工艺技术平台，采用独特器件结构及特色工艺，具有优异的开关特性和导通特性，更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性，让你的电源设计获得高效转换效率，优异的性价比使Elite MOSFET在消费市场拥有较强的竞争力。 功成半导体应用拓扑图 PD Charger Power Supply for Robot 功成半导体Elite MOSFET产品推荐

　　近日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团（以下简称“TÜV莱茵”）向上海功成半导体科技有限公司（以下简称“功成半导体”）的IGBT系列产品颁发了AEC-Q101认证证书，这是功成半导体在车规相关产品领域上的首次突破。功成半导体CEO徐大朋、首席运营官刘烨、首席技术官罗杰馨、TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵、销售副总经理张春涛等双方代表出席了本次颁证仪式。 AEC即Automotive Electronics Council，是美国汽车电子委员会的简称。AEC-Q101认证是基于失效机理的分立半导体元件应力测试鉴定，由AEC委员会制定，适用于车用分立半导体元件的综合可靠性测试认证，是分立半导体元件应用于汽车领域的重要保证。通过了AEC-Q认证的器件，是产品质量与可靠性的保证，能够提高产品竞争力及溢价率。同时，对于车厂和一级供应商来说，使用通过AEC-Q认证的电子元器件风险小，因此具有相关认证的元器件将会是首选。 功成半导体此次通过AEC-Q101认证的IGBT产品将会主要应用于汽车电子热管理和车载电源领域，为客户提供满足车规级功能安全的功率器件。 左：TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵 右：功成半导体CEO徐大朋 功成半导体CEO徐大朋在颁证仪式上表示： 感谢TÜV莱茵专家对功成半导体IGBT产品首次认证AEC-Q101的指导和支持。 此次认证标志着功成产品从工业级跃升车规级的新阶段 ，未来我们将继续瞄准汽车电子这一高景气赛道作为重点发力方向，持续加大研发投入，丰富车规产品类型，从客户布局、应用类型、产品升级方面积极开拓汽车电子业务。期待未来在更多领域与TÜV莱茵深入合作，让更多功成自主研发的产品走出国门，面向世界。 TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵表示： 祝贺功成半导体获得TÜV莱茵颁发的AEC-Q101认证证书。目前，AEC-Q认证作为电子元器件是否适用于汽车应用的一个标志，已经得到全球各相关企业的高度认可。TÜV莱茵一贯以来，对技术有着严谨要求，对新技术、新标准、新动向保持快速反应。我们期待与功成半导体在车规产品领域进一步加深合作，TÜV莱茵将持续助力功成半导体推出满足车规要求的产品，提升产品品质，增强市场竞争力，共同推动中国功率半导体行业的高质量发展。

　　功成半导体 1号馆1C033 INVITATION 2023.4.7-9 中国·深圳国际会展中心 2023年4月7日，为期3天的第十一届中国电子信息博览会（CITE 2023），在深圳国际会展中心隆重开幕！本届博览会以“创新引领、协同发展”为主题，通过CITE主题馆、新型显示及应用馆、半导体产业及应用馆、电子生活生态馆、新一代信息通信产业集群馆、智能汽车技术馆、基础电子馆等七大展馆30个专业展区，为业界充分展示中国电子信息产业最新发展成果与趋势。 功成半导体 携手上海汽车芯谷等园区企业联合参展亮相。 展会首日，现场人潮涌动，掀起火爆观展热潮。近期，IGBT在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增、大缺货的状态下，功成半导体展示的IGBT功率器件，吸引了众多业内人士的驻足咨询，可以说是凭实力出圈啊！ 除了IGBT， 功成半导体 携拳头产品高压超结器件CPW60R022FT4 亮相展会，它是一款600V/100A高压高功率快恢复超结器件（SJ），用于大功率直流充电桩中 。本产品增加电子辐照工艺，并优化匹配PW注入工艺，减小IDSS漏电流的同时获得更快的反向恢复时间。并且采用特殊的终端保护结构，有效提高器件的漏电特性和可靠性。极低特征导通电阻Rsp ，优于国内外同类产品，反向恢复时间预计可以缩短至140nS，反向恢复峰值电流降至15A左右。产品能够承受极为苛刻的环境条件半导体，满足高压、高电流、高性能的电动汽车直流充电桩的需求，并可大量应用在PC电源、服务器电源、电信、太阳能逆变器和汽车超级充电器上。 比肩国际主流品牌的性能指标，真正实现国产替代的一款高压超结器件CPW60R022FT4，不仅赢得客户的认可，更获得CITE专家评委的高度评价，一举斩获“2023 CITE 创新奖”。 精彩不止于此，展会仍在继续- 本次展会持续到4月9日 期待大家莅临功成展位： 深圳国际会展中心（福田） 1号馆-1C033 我们将以最诚挚的热情 欢迎您的到来！