我国半导体行业起步于上世纪50年代,本身之比美国晚几年。但是之后由于各种原因,发展一直处于落后位置,且与国际先进水平逐渐拉开差距。到改革开放之后半导体,由于国际上对我国的技术封锁,致使一直到90年代初,我国的半导体技术一直发展缓慢。
进入到上世纪90年代,我国的半导体技术开始迅猛发展,增长速度达到30%以上。但是由于基础较差,即使如此增速,其规模也只占全世界半导体行业的1%左右。一直到21世纪初,我国由于自身的设计和制造水平与国际水平相差较大,一直没有形成自己的产业体系,企业规模小而分散,缺乏竞争力。
一直到“十五”计划,b体育半导体行业的发展才被重视。同时意识到自主创新和人才培养的重要性,鼓励生产企业规模化,形成产业群体,研发掌握自己的知识产权。
随着世界进入信息时代,半导体所扮演的角色愈加重要。随着近20年的迅猛发展b体育,半导体行业的市场容量已翻了4翻。我国的半导体也在竞争日益激烈的国际环境中取得了长足的发展。近些年,由于国际形势日趋严峻,我国半导体行业取得大力发展的同时,国际上具有半导体先进技术的国家对我国的技术和市场进行了封锁限制。好在我国已具备一定的技术底蕴,行业技术的发展虽然在一开始受到了一定的限制而陷入困境,但是经过近几年的发展,反而让我国半导体行业技术又有了坚实的进步,国内的龙头企业在该领域拥有了更多的国际话语权。
半导体是一类材料的总称,特指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,并非所有以半导体为材料做成的元器件都称为半导体器件。总体来说半导体可分为三代产品。
第一代半导体主要是指硅(Si)和锗(Ge)的元素半导体材料。尤其是硅,作为半导体材料中最具影响力的一种,被广泛应用于大规模集成电路b体育、模拟IC、传感器等器件的制作。随着智能交互的成熟发展,我们熟知的智能家居、无人驾驶、甚至航空航天事业中,硅基芯片都在其中扮演着举足轻重的角色。
第二代半导体材料主要是以砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)等化合物为主的半导体材料,此外还有GaAsAl、GaAsP结构的三元化合物半导体,及一些固溶体半导体如Ge-Si、GaAs-GaP,玻璃半导体(又称非晶态半导体)如非晶硅、玻璃态氧化物半导体,有机半导体如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。二代半导体材料以高电子迁移率及高光电转换效率等优势被广泛已用于高速高频和光电转换领域。
第三代半导体是指具有宽禁带的半导体材料,如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等半导体。除宽禁带的优点,部分材料还具备高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特性,该部分材料被广泛应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等领域。
虽然划分了三代半导体,但是他们之间并非竞争取代关系,而是彼此补充的关系。
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